Siliciumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Siliciumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Siliciumnitrid Si3n4 keramisk substrat er en type avanceret materiale, der bruges i mange forskellige applikationer, fra elektronik til rumfartsindustrien. Den har en unik kombination af egenskaber, der gør den til en af ​​de mest alsidige og holdbare keramik, der findes. Siliciumnitrid er et utroligt hårdt og stærkt materiale, hvilket gør det meget modstandsdygtigt over for slid. Den har fremragende termisk stabilitet, hvilket betyder, at den kan modstå høje temperaturer uden at forringe eller miste sine egenskaber. Derudover er det stærkt elektrisk isolerende, hvilket giver fremragende isolering og beskyttelse til elektriske komponenter.

Siliciumnitrid keramisk substrat bruges i forskellige elektroniske komponenter, såsom effekthalvledere og lysemitterende dioder (LED'er), på grund af dets fremragende varmeledningsevne og varmeafledningsegenskaber. Det bruges også i mekaniske applikationer, såsom højhastighedslejer og skærende værktøjer, på grund af dets exceptionelle styrke og sejhed. Luftfartsindustrien bruger siliciumnitrid keramisk substrat i højtemperaturapplikationer, såsom turbinedele, på grund af dets fremragende termiske stødmodstand og oxidationsmodstand.

Samlet set er siliciumnitrid keramisk substrat et exceptionelt materiale med en bred vifte af anvendelser. Dens holdbarhed, termiske stabilitet, elektriske isolering og mekaniske styrke gør den til et populært valg i mange forskellige industrier.

Du er velkommen til at komme til vores fabrik for at købe det nyeste salgsmateriale, lav pris og højkvalitets siliciumnitrid keramisk substrat. Torbo ser frem til at samarbejde med dig.

Torbo® Silicium Nitride Si3n4 keramisk substrat

Emne: Siliciumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Materiale: Si3N4

Farve: Grå

Tykkelse: 0,25-1 mm

Overfladebehandling: Dobbelt poleret

Bulkdensitet: 3,24g/㎤

Overfladeruhed Ra: 0,4μm

Bøjningsstyrke: (3-punkts metode): 600-1000Mpa

Elasticitetsmodul: 310Gpa

Brudsejhed (IF-metode): 6,5 MPa･√m

Termisk ledningsevne: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrisk tabsfaktor: 0,4

Volumenmodstand: 25°C >1014 Ω･㎝

Nedbrydningsstyrke: DC >15㎸/㎜